半導(dǎo)體用于集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。然而，半導(dǎo)體的一個(gè)特性是導(dǎo)體和絕緣體所沒有的，即它可以制成兩個(gè)不同特性的基板，然后將這兩個(gè)基板結(jié)合起來，反映絕緣和導(dǎo)體交替的特性，如二極管反向絕緣和正向?qū)щ姟Ｈ龢O管可以通過控制端導(dǎo)電，絕緣。
        半導(dǎo)體的作用是通過改變局部雜質(zhì)濃度來形成一些設(shè)備結(jié)構(gòu)，對(duì)電路有一定的控制作用，如二極管的單向?qū)щ姡缇w管的放大。

        半導(dǎo)體分類及性能。
        （1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指由單個(gè)元素組成的半導(dǎo)體，其中硅和硒的研究相對(duì)較早。它是一種具有相同元素半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到痕跡雜質(zhì)和外部條件變化的影響。目前只有硅和鍺性能好，應(yīng)用廣泛。硒用于電子照明和光電領(lǐng)域。硅廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，主要受二氧化硅的影響，可以在設(shè)備生產(chǎn)中形成掩模，提高半導(dǎo)體設(shè)備的穩(wěn)定性，有利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。
        （2）無機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體。無機(jī)復(fù)合材料主要由單個(gè)元素作為半導(dǎo)體材料組成。當(dāng)然，也有由多種元素組成的半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體的主要特征是I組和V、VI和VII組。II組和IV、V、VI和VII組；III組和V、VI；IV和IV；V和VI；VI和VI組合的化合物，但受元素特性和生產(chǎn)方法的影響，并非所有化合物都能滿足半導(dǎo)體材料的要求。半導(dǎo)體主要用于高速設(shè)備。InP制造的晶體管比其他材料快，主要用于光電集成電路和抗核輻射設(shè)備。對(duì)于導(dǎo)電率高的材料，主要用于LED等方面。
        （3）有機(jī)化合物半導(dǎo)體。有機(jī)化合物是指分子中含有碳鍵的化合物。有機(jī)化合物和碳鍵相互垂直，形成導(dǎo)帶。通過化學(xué)加成，可以進(jìn)入能帶，從而產(chǎn)生電導(dǎo)率，形成有機(jī)化合物半導(dǎo)體。與以往的半導(dǎo)體相比，半導(dǎo)體具有成本低、溶解性好、易于加工輕質(zhì)材料的特點(diǎn)。電導(dǎo)率可以通過控制分子來控制，應(yīng)用廣泛，主要用于有機(jī)膜、有機(jī)照明等。
        （4）非晶體半導(dǎo)體。它也被稱為非晶體半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于一種半導(dǎo)體材料。與其他非晶體材料一樣，非晶體半導(dǎo)體具有短程有序和長程無序的結(jié)構(gòu)。它主要通過改變?cè)拥南鄬?duì)位置和原始的周期性排列來形成非晶體硅。晶體和非晶體主要不同于原子是否有長序。很難控制非晶體半導(dǎo)體的性能。隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶體半導(dǎo)體開始被使用。生產(chǎn)工藝簡單，主要用于工程領(lǐng)域，光吸收效果好，主要用于太陽能電池和液晶顯示器。
        (5)本征半導(dǎo)體。沒有雜質(zhì)和晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低的溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶已經(jīng)滿了。熱刺激后，價(jià)帶中的一些電子會(huì)通過禁帶，以更高的能量進(jìn)入空帶。空帶中的電子成為導(dǎo)帶。沒有電子會(huì)形成帶正電荷的空位，稱為空穴。空穴傳導(dǎo)不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是等效運(yùn)動(dòng)。電子導(dǎo)電時(shí)，電荷相等的空穴會(huì)朝相反的方向移動(dòng)。[5]它們?cè)谕獠侩妶?chǎng)的作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)，形成宏觀電流，稱為電子傳導(dǎo)和空穴傳導(dǎo)。
        這種由電子-空穴對(duì)形成的混合電導(dǎo)率稱為本征電導(dǎo)率。導(dǎo)帶中的電子落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。重組過程中釋放的能量變?yōu)殡姶泡椛?發(fā)光)或晶格熱振動(dòng)能量(加熱)。在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，因此具有一定的電阻率。當(dāng)溫度升高時(shí)，會(huì)產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，增加載流子密度，降低電阻率。無晶格缺陷的純半導(dǎo)體電阻率相對(duì)較大。